哑口无言,不过,也许傻的不是设计单位,而是高振东的导师吧。
俞允成对高振东这堂课心服口服,来这里果然来对了,不但学到了技术,还学会了科研的思想。
有这位科班出身的人在,高振东也很放心,他领先的是思路和原理,具体细节就不见得比俞允成更好了。
俞允成情绪也很不错:“还比较顺利,正在一项一项的装,一项一项的调。”
所以他对于开口向高振东学习,没有一点不好意思,不赶紧趁高主任有空,多扒拉点东西,那高主任不白来了。
俞允成听见了有些惊讶:“啊,这样啊,好像是比较难控制。”
“温度梯度?”
“高主任,从原理上分析,区熔法比直拉法的材料纯度要高,我们为什么不直接用区熔法搞。”
实际上哪怕到了几十年后,半导体用硅单晶的生产方法还是以这两个为主,其中直拉法占了75%左右的产量。
所以听见俞允成问这个问题,高振东还是很高兴的,向他仔细的解释。
有时候有的人容易陷入功能崇拜里面去,这个功能越多越好,越复杂越好,至于能起到什么作用,是不是对系统有利,或者为了这点儿利益付出这么大代价是否值得,没想过或者没想好。
这个话一开始他是不太好问的,这涉及到原理路线问题了,看见高振东的单晶炉设计那么完整,一开始问这个话有点全盘推翻的感觉。
高振东笑着道:“对!”
高振东笑道:“说对了,对于现在来说,直拉法的缺陷是可以通过设计手段来弥补或者削弱的,比如增加石英内坩埚。而它的好处却是实实在在的,我们不是搞理论研究,理论研究可以只盯着高处,我们搞的是应用研究,还是要看看周围。”
见大家都明白这个原理,高振东才说出来增加坩埚升降系统的原因:“而增加温度梯度最简单的办法之一,就是增加坩埚的高度,换言之,调节纵向温度梯度最简单的手段,就是升降坩埚。当然.”
俞允成负责具体的落地过程,比他更合适。
俞允成和周围在观看学习的科研组员,都觉得打开了一扇新世界的大门,以前的很多相关经验,都可以在这个里面得到解释。
“高主任,在我看来,只要坩埚加热温度稳定,热场就是稳定的,坩埚的加热温度可以靠电源功率控制来完成,而拉晶的提拉旋转和高度可以靠籽晶那头控制,为什么坩埚这头还要增加复杂的坩埚升降和旋转控制呢,这不是大大增加了系统的复杂程度吗。”
这边的具体事务,是俞允成在负责。
最后,高振东总结道:“径向温度梯度,原则上是要越均匀越好的,这就是刚才我说的要把坩埚转起来的部分原因。”
半导体器件用的单晶体,基底的掺杂本来就是常用工
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